招標(biāo)文件編號：LNZB-GJZ2013-032-02

項(xiàng)目編號: DDWW2013020

遼寧工程招標(biāo)公司受東北大學(xué)的委托，對“東北大學(xué)第二十批教學(xué)儀器設(shè)備采購項(xiàng)目（招標(biāo)編號：LNZB-GJZ2013-032-02/項(xiàng)目編號: DDWW2013020）”進(jìn)行公開招標(biāo)，現(xiàn)歡迎合格的投標(biāo)人參加本次政府采購活動。

一、采購內(nèi)容

01包：場發(fā)射電子探針 1臺

02包：場發(fā)射球差校正透射電鏡 1套

03包：X射線熒光光譜儀 1臺

二、技術(shù)參數(shù)：

（一）第01包：場發(fā)射電子探針

1、電子光學(xué)系統(tǒng)

1.1二次電子分辨率：3nm（工作距離11mm，30kV）

1.2電子槍：熱場發(fā)射電子槍

1.3電子槍對中：二級偏轉(zhuǎn)電磁式，可顯示燈絲像

1.4加速電壓：1 ~ 30kV(步長為0.1kV)

1.5束流范圍：5X10-7 ~ 10-12A

1.6束流穩(wěn)定度：±3×10-3/h；±3×10-3/12h

1.7放大倍數(shù)：×40 ~ ×300,000*

1.8空間分辨率：0.1μm；最小束斑：40 nm (10 kV, 1×10-8 A)，100 nm (10 kV, 1×10-7 A)

1.9物鏡：超級小物鏡（水冷）

1.10物鏡光欄：4級可變光欄, 用戶可自己更換

1.11束流探測器：氣動式法拉第杯（標(biāo)準(zhǔn)配置）

1.12自動聚焦，自動消像散，自動襯度/亮度調(diào)整：標(biāo)準(zhǔn)配置

1.13大焦深模式：標(biāo)準(zhǔn)配置

2、波譜系統(tǒng)

2.1元素探測范圍：5B ~ 92U（標(biāo)準(zhǔn)）,Be（選購相應(yīng)的分光晶體）

2.2譜儀2θ角范圍：XCE型譜儀：25°~ 136°, H型譜儀：36°~ 118.5°

2.3 X射線出射角：40°

2.4羅蘭圓半徑：140mm（XCE、TXE、FCS型譜儀）,100mm（H型）結(jié)合

2.5譜儀控制：異步控制+同步控制

2.6分光晶體的交換：可在譜儀掃描區(qū)間任何位置交換，交換后無需調(diào)整

2.7 X射線探測器：氣流正比計(jì)數(shù)管(GPC), 氙氣正比計(jì)數(shù)管(XPC)

2.8 X射線波譜分析實(shí)驗(yàn)條件（主放大器，增益，探測器高壓，脈沖高度分析儀等）：根據(jù)所測元素及相關(guān)的分光晶體，自動設(shè)置實(shí)驗(yàn)條件

2.9自動全元素定性分析：約40秒

2.10波譜儀配置：4道（3道即可覆蓋全元素）

3、光學(xué)顯微鏡系統(tǒng)

3.1分辨率：1μm

3.2焦深：≤±1μm

3.3放大倍率：×414

3.4通過光學(xué)顯微鏡控制樣品臺：可以

4、樣品臺系統(tǒng)

4.1驅(qū)動方式：步進(jìn)馬達(dá)

4.2行程: X=90mm;Y=90mm

4.3分析區(qū)域： 90×90mm

4.4樣品臺載物大小：100×100×50mm，另外提供四孔和九孔樣品臺各一個

4.5移動速度: 最大150mm/秒

4.6樣品臺定位方式及回復(fù)精度：±1μm

4.7驅(qū)動方向：除X和Y方向驅(qū)動樣品外，還可沿對角線方向驅(qū)動樣品

4.8曲面樣品分析(Guide-net Mapping)：標(biāo)準(zhǔn)配置，用于非平面樣品（曲面）的分析

5、背散射電子探測器

5.1探頭：Si P-N結(jié)環(huán)形探測器; 視頻輸出：拓樸像、成份像

6、分析軟件

6.1 WDS定性分析程序

6.2 EDS定性分析程序

6.3 WDS/EDS無標(biāo)樣定量分析程序

6.4 WDS/EDS定量分析程序

6.5校正曲線法分析程序

6.6 WDS/EDS線分析程序

6.7 WDS/EDS區(qū)域分析程序

6.8連續(xù)自動分析程序

6.9合成面分析程序

6.10電子探針操作程序

6.11初始條件設(shè)定程序

6.12文件搜索程序

6.13電子束跟蹤程序

6.14報(bào)告書程序

7、真空系統(tǒng)

7.1采用無油污染的分子泵系統(tǒng)，對輕元素的分析沒有影響的同時樣品交換所需的時間快，只需1.5分；探針從開機(jī)到正常工作，抽氣時間為25分鐘。

8、圖像顯示

8.1可在計(jì)算機(jī)的顯示器上同時顯示二次電子像、背散射電子像（分為成分像和拓?fù)湎駜煞N）和光學(xué)顯微像，共計(jì)四種像（數(shù)字化像），便于分析比較。

9、能譜儀：一體化能譜儀系統(tǒng)

9.1計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

9.2操作系統(tǒng)：Windows系統(tǒng)

9.3彩色顯示器分辨率： 用于EPMA操作及分析：1280×1024,用于掃描圖像觀察：1280×1024

10、環(huán)境改造：達(dá)到使用要求。

（二）第02包：場發(fā)射球差校正透射電鏡

1、設(shè)備用途

場發(fā)射分析型透射電子顯微鏡主要用于材料的原子級高分辨形貌觀察和原子級成分分析，系統(tǒng)由電子光學(xué)系統(tǒng)、高壓系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等部分組成。

2、主要工作條件

2.1電源電壓：

2.1.1主機(jī):：AC單相220V (± 10%)，≥50A，50/60Hz

2.1.2球差校正器：AC單相100-240V，1500W，50/60Hz

2.1.3球差校正器用電腦：AC單相100-240V，250VA/200W，50/60Hz

2.1.4電源及頻率穩(wěn)定性：≤±5%

2.1.5冷卻循環(huán)水：AC 380V (± 10%) 50Hz 三相

2.1.6地線：≤5歐姆以下獨(dú)立地線

2.2 工作環(huán)境溫度： 20±5℃，

溫度的漂移小于等于 0.2℃/h

溫度波動小于等于0.05 ℃/min

2.3 環(huán)境相對濕度： ≤60％

2.4 壓力變化：≤ 1 Pa

2.5 空氣流動： ≤100mm/秒

2.6 噪音：≤50-60dB

2.7 振動：≤0.2-0.4um

2.8 磁場：直流電流磁場波動：小于0.05mT，交流電流磁場波動：小于0.05mT

3、技術(shù)要求及參數(shù)

3.1 電子槍和加速電壓

3.1.1 電子槍：肖特基熱場發(fā)射電子槍*

3.1.2 加速電壓：加速電壓≥200kV，可實(shí)現(xiàn)加速電壓連續(xù)可調(diào)并正常穩(wěn)定工作。

3.1.3加速電壓穩(wěn)定度：≤ 1ppm/min(峰峰值)*

3.1.4物鏡電流穩(wěn)定度：≤ 0.5ppm/min(峰峰值)*

3.2 分辨率

3.2.1 點(diǎn)分辨率≤0.23nm；（樣品臺≥±35度角時，點(diǎn)分辨率≤0.23nm）*

3.2.2 線分辨率≤0.10nm*

3.2.3 STEM暗場分辨率≤0.08nm

3.3 最小束斑尺寸：